晶闸管暗电流是什么 晶闸管漏电流的含义是什么

什么是晶闸管暗电流

晶闸管暗电流是指在关闭状态下，晶闸管端口之间还存在一定的电流流过，也称为“反向漏电流”或“伏安电流”。

这种电流大小与晶闸管的制造工艺、封装结构、工作环境等因素有关，其大小通常在微安到毫安级别之间。

晶闸管暗电流的产生原因

晶闸管暗电流的产生原因主要有两个方面。

首先，晶闸管的控制极和负载极之间存在一个PN结，即P型半导体和N型半导体的结合处，但由于半导体工艺的限制，这个PN结并不完美。因此，在关闭状态下，还存在一个微小的电流流经这个PN结。

其次，晶闸管的封装本身也存在一定的漏电问题，导致一部分电流穿过封装隔离器件而流经控制极和负载极之间。

晶闸管暗电流的影响

晶闸管暗电流的大小虽然很小，但如果它长期存在，会导致以下两个方面的影响。

首先，由于晶闸管处于关闭状态下，导致负载处于高阻状态，无法正常工作，从而影响整个电路的正常运行。

其次，晶闸管暗电流还会产生一些电磁干扰，影响其他电子器件的正常工作。

如何避免晶闸管暗电流

为了避免晶闸管暗电流对电路和设备的影响，可以采取以下措施。

首先，选择质量好、制造工艺精良的晶闸管，减少PN结不完美等工艺缺陷对暗电流的影响。

其次，在选用晶闸管的时候，需要根据具体的工作环境和负载要求进行合理的选择和布局，避免晶闸管在关闭状态下长时间存在负载外侧。

最后，在设计电路的时候，需要充分考虑晶闸管暗电流的存在，采用合适的补偿措施，如添加限流电阻、增加滤波电容等，来减小暗电流的影响。