IGBT全称为Insulated Gate Bipolar Transistor,中文翻译为隔离栅双极晶体管。它是一种介于金属氧化物场效应管(MOSFET)和普通双极型晶体管(BJT)之间的晶体管器件。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电阻,具有高输入阻抗、低开通电阻、低饱和压降和高输电特性等优点。
IGBT一共有三个电极,分别为G(Gate)极、C(Collector)极和E(Emitter)极。其中G极是控制极,C极是输出极,E极是输入极。
G极:G极是IGBT的控制极,其主要功能是控制IGBT的开关状态。当G极输入低电平时,IGBT处于关断状态;当G极输入高电平时,IGBT处于导通状态。
C极:C极是IGBT的输出极,其主要功能是承受电流和电压,将电流输出到负载上。
E极:E极是IGBT的输入极,其主要功能是将控制信号传输到G极,并将G极和C极之间的电荷释放掉,在IGBT的导通和关断过程中起到平衡的作用。
IGBT三个脚的排列不是固定的,它们的位置可以根据不同的封装形式进行调整。比如TO-220封装、TO-247封装等,它们的排列方式都不完全相同。但无论如何,G极总是在前面,C极总是在中间,E极总是在后面。在实际应用中,需要根据不同的封装类型来确定IGBT三个脚的具体位置,以确保正确使用。