Pnp是“Positive-Negative-Positive”的缩写，中文名为“正-负-正型晶体管”，是一种与NPN型晶体管不同的晶体管结构。它由一层p型半导体夹在两层n型半导体中间构成。在Pnp晶体管中，p型区域成为基极，两个n型区域分别成为发射极和集电极。当向基极施加正电压时，就会引起基极与发射极之间的电流，使Pnp晶体管导通。相反，当施加了反向电压时，就会截止Pnp晶体管。Pnp晶体管与NPN晶体管相比，具有较小的输入电阻、电流放大系数等优点，因此在某些应用中更为适合。
Pnp晶体管可用于电控开关电路、放大电路和振荡电路等。在大功率放大电路中，它能够通过控制基极电流来控制集电极电流，实现电力放大。在电控开关电路中，它常常被用来控制交流负载电流的方向变换。同时，Pnp晶体管还被广泛应用于高频链路与射频电路中，因为Pnp晶体管能够保持较高的收集速度。
相较于NPN晶体管，Pnp晶体管因结构的不同在功能特性上存在一些差异。Pnp晶体管的优点主要包括：
（1）电压比NPN更低：Pnp晶体管的集电极与发射极之间距离较近，电荷互相作用强，所以它需要的电压比NPN晶体管要低。
（2）输入电阻小：由于p型区域成为基极，其接触电势降低，故输入电阻较小。
（3）电流放大系数较小：由于p型区域的掺杂比n型区域低，故pnp晶体管电流放大系数较小。
其缺点主要包括：
（1）响应速度较慢：由于Pnp晶体管载流子移动速度较慢，因此响应速度也较慢。
（2）噪声功率较大：由于Pnp晶体管中的载流子浓度较低，故其噪声功率较大，不如NPN晶体管
Pnp晶体管的结构采用的是面转接技术，这种技术通过在不同层次的掺杂过程中使用不同材料和技术，将各种晶体层按照一定的形状、层次和位置逐层堆积而成，最终经过单晶晶片生长、晶圆片制备、居易成型及烘烤、一次烧结、调平打磨、层加触极接触、金属化、分离等工艺场流制成。它的制造方法比较复杂，对材料纯度、外延片晶质特性以及晶圆加工技术要求很高。
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