掺杂半导体是一种将外部杂质(掺杂剂)引入半导体材料中,以改变半导体材料内部电子结构的方法。掺杂剂的作用是引入额外的电子或空穴,从而改变其导电性。常用的掺杂剂有硼、磷、锑等元素,其中硼是一种典型的p型掺杂剂,磷和锑则是n型掺杂剂。
硼是半导体材料中最典型的掺杂剂之一,可以有效地使半导体成为p型半导体。硼的掺杂可通过化学气相沉积和离子注入等方法进行。磷和锑是掺杂半导体中典型的n型掺杂剂,磷掺杂可使硅成为n型半导体,锑掺杂则可使硒、碲成为n型半导体。
过渡金属元素具有复杂的电子构型和基态,能够形成多种化合物和配合物。许多过渡金属元素都是半导体材料的重要成分。过渡金属元素的半导体性质取决于它们的电子构型以及其与其他元素的化学反应。一些常见的以过渡金属元素作为主体的半导体材料包括二氧化钛、氧化铁等。
稀土元素因其特殊的电子构型和单电子性质而成为半导体领域中研究的热点之一。稀土元素的离子化态具有复杂的能级结构,这使得它们在光谱学和发光学领域中具有重要的应用价值。在稀土离子中,放电过程发出的光谱带由两个能级相对间跳跃导致,其中一个能级是离子的基态,另一个能级可以是离子的激发态。由于这种相对于其他离子的非常规能级结构,并且稀土离子的化学性质相对较为稳定,因此稀土元素的半导体性质在集成电路和光电子学等领域具有广泛应用。
碳族元素中的硅、锗和碳都是重要的半导体材料。作为半导体材料,硅最受欢迎,因为它的晶体结构稳定,成本低廉。硅的电子能带结构使之成为一种半导体,即它的导带和价带之间存在空隙。锗是一种早期的半导体材料,常常用于制造二极管和较低电压的晶体管。碳族元素中的碳也具有半导体性质,碳以其高化学活性、热稳定性和生物相容性而成为研究热点。石墨烯是一种由碳原子构成的单层二维材料,具有超强的电学和热学性能,在半导体和电子学领域有着广泛的应用前景。