微电子外延是指将具有所需电学特性的半导体材料光滑地生长在半导体晶片表面上的一个过程。常用的外延材料有Si、SiC、GaAs、InP等。微电子外延常用于制备各种器件,例如太阳能电池、发光二极管、激光器等。外延材料的物理特性决定了器件的性能。
微电子外延的生长方式包括气相生长、液相生长、分子束外延和金属有机化学气相沉积等。其中,气相生长是最常用的方法。气相生长是指将材料的气相使其在衬底表面上形成第一层原子层,再通过添加材料前体或小分子供体来建立多层结构。液相生长是在溶液中将物质的原子和分子在晶片表面集成形成结晶。分子束外延是利用分子束流磨合在晶片表面上的方法。金属有机化学气相沉积也就是所谓的MOCVD法,是在高温高压下,将金属蒸气和有机化合物分子传输到晶片表面。这些方法各自有不同的应用领域和优缺点。
微电子外延制备器件主要用于光电子、微电子、光学和特殊磁性应用等领域。例如:太阳能电池需要使用硅或GaAs等半导体物质的外延薄膜;蓝光发光二极管则需要使用氮掺杂的GaN材料的外延晶片;激光器需要使用多层GaAs和AlGaAs外延结构膜。通过微电子外延,可以制造出高质量的半导体器件,提高设备可靠度和使用寿命,这对于现代电子产业非常重要。
随着人工智能、物联网及汽车电子产业等领域的快速发展,对微电子芯片功耗、尺寸、集成度等方面的要求越来越高。微电子外延技术正朝着高质量、低成本和高效率的方向发展。一些新兴的微电子外延技术已经应用到实际生产中,在工业界受到了广泛关注。例如,氮掺杂的蓝色荧光材料的外延,利用钛铝氮硼多元化化合物外延生长,以及利用低温量子阱堆续生长。这些技术的应用能够显著提高微电子器件的性能,促进电子产业的发展。