mosfet,即金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),
是半导体器件中的一种,是MOS场效应晶体管的简称。
MOSFET主要由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底三部分组成。
随着控制电压大小的不同,可以控制mosfet的导通与截止,实现电气信号的控制。
mosfet主要分为P-MOSFET和N-MOSFET两大类,其中N-MOSFET被广泛应用。
N-MOSFET是在n型半导体基底中形成的p型区域,并在这个p型区域上分别制成栅极和源极、漏极结构,
当给定正向偏置的栅极电压时,就会在p型区域中形成导电通道,从而实现器件的导通。
由于N-MOSFET具有导通压降小、输入电容小、开关速度快等优点,
因此被广泛应用于电路中,包括逻辑电路、放大电路、功率驱动电路等。
①静态特性:mosfet的静态特性主要包括导通特性和截止特性,
导通特性取决于栅极电压和漏极电压的关系,
截止特性取决于栅极电压和源极-漏极之间的电压大小。
②动态特性:mosfet的动态特性主要包括开关速度、输入电容、容误滞等指标,
开关速度主要由漏极区域内电荷储存和导通通道形成时间决定,
输入电容主要是mosfet器件的栅极电容,是输入信号会影响的指标。
mosfet被广泛应用于电路中,主要应用于功率驱动电路、逻辑电路、放大电路等方面,
其中功率驱动电路是mosfet应用的主要领域之一,
包括电源开关、变换器、PWM调光等应用。
mosfet具有导通压降小、输入电容小、开关速度快等优点,
因此在一些高频、高速、高负载、高精度应用中,mosfet更具优势。