半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料,具有导电能力,但是电导率比导体低,介电常数比绝缘体小。半导体材料的电学、光学、热学等性质与传导带、禁带、空穴和电子密切相关。
半导体是利用固体晶体的结构、阻挡层和杂质掺杂来调节其电学性质。常见的半导体材料主要有硅、锗、砷化镓等,其中硅和砷化镓是应用最广泛的。
根据半导体材料的电子禁带宽度,半导体可分为以下三类:
①直接带隙半导体:电子禁带宽度很窄,当光子能量等于禁带宽度时,容易形成电子-空穴对。
②间接带隙半导体:电子禁带宽度较大,当光子能量等于禁带宽度时,很难形成电子-空穴对。
③宽禁带半导体:电子禁带宽度最大,通常超过2eV。这种半导体在高温下会失效,因为材料会自发性地导电。
半导体材料的电性能主要与其材料中掺杂的杂质原子种类、浓度、空穴和电子的数量、分布状态等因素有关。通常,通过掺杂使半导体材料的导电性能得到提高,其调节方式主要是掺杂原子类型和杂质浓度的改变。常见的半导体材料掺杂方法有:
①N型半导体掺杂法:在硅中加入少量磷、砷等含有5个价电子的杂质元素,形成杂质能级。
②P型半导体掺杂法:在硅中加入少量铝、硼等含有3个价电子的杂质元素,形成空穴能级。
与材料本身构造不同,掺杂的材料有着不同的晶体、热学、电学特性。
半导体材料是现代电子学中的基础材料之一,它被广泛应用于微电子、光电子、电信等领域。在集成电路和微处理器的制造过程中,硅片是重要的半导体材料,有极高的纯度和可控的载流子。
半导体材料还广泛用于能源领域,例如太阳能电池板、LED等,可实现电能到光能或其他形式的转换。半导体材料还被用于研究超导体、量子计算和量子通信等领域。