LEC,发音为“艾勒西”,是金属中的一个术语,全称为“Liquid Encapsulated Czochralski”的缩写,意为“液体封装肖特拉尔斯基法(CZ法)”。
LEC法是一种半导体材料晶体生长方法,其原理是在肖特拉尔斯基法中,使用一个密闭的、温度可控的熔体对Ingot进行液体封装,液体封装时,温度较低,使晶体在形成过程中不会与外界氧化物接触,并能避免恶劣的水气环境导致晶体质量下降,从而得到高质量、高纯度、高大比划的硅单晶。
(1)控制要求高:LEC法生长单晶硅的过程中,需要严格控制温度、状况和壁温度等多个因素,在相当长的时间期内保持原材料和有利状态等方面,都需要控制得比较严格。
(2)得到晶体较大:利用LEC法,单晶硅的比表面积可以得到较大的提高,从而得到晶体较大、规整、粗略的优良特性。
(3)适用范围宽广:LEC法不仅可以生长单晶硅,而且可以生长多种金属、半导体和绝缘体材料等各种型号的晶体。
LEC法技术不仅可以应用在高品质蓝光单晶、太阳能电池和储存器等材料的生长过程中,还可以应用在计算机芯片和集成电路等领域中,由于需要控制的因素较多,且过程时间复杂,如能在实践应用中展现出其高超的特性,其生长效率将会更高,制备出标准的高效面板和高显示器也将有更为可观的效果。
LEC法是一个比较先进、科技含量较高的生长技术,其应用范围比其它生长方法要广泛得多。随着市场的需要以及技术的不断创新,LEC法也将更进一步,成为各种材料生长和制造中的不可或缺的关键步骤。