芯片的内应力过大会导致晶体管管子受到非等向应力的影响,导致晶管的迁移率和效率下降。另外,内应力会导致芯片缺陷的集中和扩散,进一步影响芯片的性能。
此外,内应力还会被不同的工艺所放大。如果芯片内部应力太大,那么当使用高温电子束光刻时,其使晶体管曝露出的光子能量可能会超过限制,从而导致芯片失效。
芯片内应力过大,会导致在使用过程中产生微裂纹,在加热和冷却变化的影响下,芯片硅的疲劳寿命就会受到影响,内应力会使芯片整体失效。
此外,芯片内应力还可以导致氢气从芯片材料中释放,这样会使芯片效能迅速下降。这种现象在硅基芯片中比较显著,同时它也对半导体行业的发展提出了新的挑战。
芯片内应力会影响芯片内的微型通讯枢纽:通过微米尺度的金属连接使不同晶体管之间或其他部件之间互相交流。内应力可以产生这些联系的内部应力,从而导致金属连线在压力下断裂。
这不仅会影响芯片的性能表现,还会导致整个电路板失效。在更高的电路尺度下,这种损害会变得更加严重,从而影响更多的材料和技术创新。
芯片内应力对光学芯片的性能会产生负面影响。例如,在使用高速光子设备进行生产和测试时,内应力可能会导致光线质量降低,或在一个特定的波长出现放射性峰值,这样会使光学性能失效。
此外,内应力可能会垂直测量光度计影响焦距和图像分辨率,降低了光学器件的处理效率。