mos管为什么沟道夹断后还有电流 mos管沟道夹断后的电流来源

1、场效应管概述

场效应管又称为MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它是一种常用的半导体器件，可以实现电流的放大和控制。MOS管的结构包括源极、漏极和栅极，其中栅极与漏极间有一层氧化物（通常是二氧化硅）隔离。隔离层上有掺杂有源区和漏极区。

2、MOS管沟道夹断现象

当在MOS管栅极与源极之间施加正向电压时，栅极场致使氧化层下的p型沟道能获得电子，形成"n型沟道"，从而构成源漏失中的导电通道。但是，当栅源电压小于沟道形成的阈值电压时，"n型沟道"消失，失去导通能力，MOS管就处于截止状态，这时候称其处于沟道夹断状态。

3、沟道夹断后仍存在电流的原因

虽然MOS管沟道夹断后不能导通电流，但它的输出端（漏极）仍然与输入端（源极）之间存在被称为“反向漏极漏放电”的电流。该电流由于静电荷注入引起，其大小取决于沟道表面被注入静电荷的数量，以及在漏结反向漏电状态下P型漏结产生的反向电流的大小。这个电流非常小，通常仅在几微安左右，不会对MOS管的使用造成实质性的影响。

4、如何抑制漏电流

虽然沟道夹断后的反向漏极漏放电流非常小，但对某些高精度电路来说，这仍然是一个不可忽视的问题。为了抑制漏电流，通常可以采用以下两种方法：

1、增加上拉电阻：通过设置足够大的上拉电阻，可以在沟道夹断状态下将漏电流限制到可接受的范围内。

2、改进MOS管工艺：在制造MOS管时，可以使用双极氧化硅工艺或互补型MOS工艺，以减少静电荷注入，从而降低反向漏极漏放电流。