GaN晶圆是制备GaN材料的重要组成部分,而制造GaN晶圆的原材料之一就是外延片。外延片是在基底材料上通过晶体生长技术制备出来的GaN材料片,具有极高的纯度和质量,是制造GaN半导体器件的理想基材。
外延片的基底材料通常采用蓝宝石、碳化硅和氧化锌等,其中以蓝宝石为主要用途最广泛,主要由法国、美国、日本等国的公司生产。
外延片的制备通常采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术。该技术是一种基于化学反应的气相沉积技术,可以在高温下将有机金属前体和氢气等反应气体在衬底上发生化学反应,从而生长出具有晶体结构的外延片。
在制备过程中,需要根据外延片要求的厚度、晶体结构等条件来调节反应气体的流量和反应温度等工艺参数,以获得高质量的外延片。同时,还需要进行精确的控制和监测,以确保制备出的外延片符合要求。
外延片广泛应用于蓝光LED、半导体激光器、高功率场效应管等各种GaN半导体器件的制造中。外延片的质量和性能对于这些器件的性能和寿命有着至关重要的影响。因此,外延片的高质量制备对于GaN半导体器件制造的稳定性和可靠性具有至关重要的意义。
随着半导体市场的不断发展和对功率半导体设备需求的增加,GaN晶圆的市场需求也越来越大,这也推动了外延片制备技术的进一步发展。未来,外延片制备技术将朝着高质量、高效率和高稳定性的方向不断发展。同时,还需要提高外延片的成品率和制备效率,以降低成本和提高市场竞争力。