随着集成电路技术的不断发展，CMOS工艺被广泛应用于各种电子设备中。CMOS即互补金属氧化物半导体（Complementary Metal oxide Semiconductor），是一种制造芯片的工艺，其中的互补指的是使用了n型和p型晶体管。使用CMOS工艺制造的芯片具有功耗低，速度较快，集成度较高等优点。
在CMOS工艺中，p型MOS和n型MOS的制造方法基本一致，唯一的不同之处在于掺杂材料的类型。而在具体制造过程中，由于掺杂材料的不同，p型MOS和n型MOS的性能也会有所不同，而这种不同的状态又容易受到噪声的影响。因此，在CMOS中引入阱（Well）结构，可以有效隔离p型MOS和n型MOS，减少噪声干扰，提高工作稳定性。
阱的作用主要分为两个方面：隔离和稳定。
隔离：CMOS工艺中，阱与衬底之间形成pn结，形成低阻隔离的局部区域，将p型区域和n型区域分隔开来，避免了电荷的相互干扰，减少了电源噪声对CMOS器件的影响。
稳定：CMOS工艺中引入阱结构，可以增加晶体管任何区域的容抗值，从而减少内部电路信号干扰，提高了CMOS器件的集成度和工作稳定性。
阱的类型主要有三种：p阱、n阱和双阱。其中，p阱和n阱主要用于分别制作nMOS和pMOS晶体管，在工艺过程中首先形成该型晶体管的阱结构再形成通道。而双阱则是在p阱和n阱之间再加一个衬底结构，用于提高CMOS器件的运行速度。
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