MOS管正向跨导,也称为MOS管申导,它是指MOS管在工作时的输出电流变化与输入电压变化之间的比例。简单来说,MOS管的正向跨导越大,同样的输入电压变化就能够得到更大的输出电流变化,也就是输出信号的增强效果更好。
沟道电阻指的是指MOS管本身的电阻。沟道电阻越小,则MOS管的正向跨导就越大,相应的,输出信号的增强效果也就越好。为了提高MOS管的正向跨导,可以采取增加沟道宽度、缩短沟道长度、加宽沟道等措施来降低沟道电阻。
门极电容指的是MOS管中门极与底漏之间的电容。门极电容越大,则对应的MOS管的正向跨导就越小,也就意味着输入电压变化对输出电流变化的影响会越小。因此,需要采用降低门极电容的措施,比如增加扩散区和沟道之间的距离、采用多层金属互连以减少电容值等方法来提高MOS管的正向跨导。
子阱是MOS管的一种结构,它位于沟道和底漏之间。由于子阱与底漏之间形成反型结,所以具有很大的电容和较低的电阻,这样可以降低门极电容的同时也降低了漏极电容的影响,从而实现了MOS管正向跨导的提高。
在实际应用中,MOS管正向跨导的大小不仅影响信号放大的效果,还会影响到MOS管的线性度和稳定性。因此,在设计MOS管放大电路时,需要对正向跨导进行综合考虑,以平衡各种因素并满足设计要求。