IDM是英文Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写,即隔离栅双极晶体管。IDM是IGBT的一种封装形式,主要是为了解决IGBT的导通和关断速度不足的问题,提高IGBT的运行效率。
与IGBT不同的是,IDM通过将IGBT芯片和驱动芯片分离封装,实现了芯片内部的隔离,避免了芯片间的串扰和电磁干扰,提高了系统的稳定性和可靠性。
相比于普通IGBT封装形式,IDM封装有以下几个优点:
1、高速开关:IDM封装可以独立控制IGBT芯片的电压和电流,实现了快速开关。
2、低开关损耗:IDM封装的快速开关能够降低IGBT芯片的导通和关断时间,从而减少开关损耗。
3、低导通压降:IDM封装可以采用更低的Vce(sat)值,从而降低导通时的电压降。
4、高抗辐射干扰:IDM封装中芯片间采用隔离设计,使IDM具有更高的抗辐射干扰能力。
由于IDM封装的优点,使得其在许多领域得到广泛应用。主要包括:
1、电力电子:IDM封装可以用于高压直流输电、电力电子变频器等领域。
2、轨道交通:IDM封装可以用于高速铁路、地铁等需要高性能电力系统的场合。
3、军工航空:IDM封装具有高耐辐照性能和高可靠性,特别适用于需要抗辐射的军工航天领域。
随着电力电子、轨道交通以及军工航空等领域的持续增长,IDM封装市场也在逐步扩大。根据相关研究机构的预测,IDM封装市场将会继续保持增长态势,预计到2025年,市场规模将达到180亿美元。同时,随着IDM封装技术的不断优化和升级,其在应用领域的范围也将更加广泛。