IGBT作为一种主要应用于功率电子领域的半导体器件,其开关过程是由三个阶段组成的:开启阶段、稳定导通阶段和关闭阶段。其中,开启过程是通过施加正向电压和控制极的正向信号来实现的,因此不需要承受较大的电压和电流;反之,在IGBT关闭过程中,由于控制极的正向信号被切断,只有剩余的电荷在晶体管上产生高压,导致IGBT上承受的电压和电流呈现出相反的极性。
因此,在IGBT关断时,承受在晶体管上的电压和电流是负值,这就是IGBT为什么是负压关断的原因。
在IGBT关闭过程中,它的输出电容会被充电,而系统上其他部件上可能会存在静电电压,这些电压会在IGBT承受负压的同时,加速电荷的累积,从而产生更高的静电感应电压。这种静电感应电压会产生一些间接影响:
①触发电流的增大,容易产生感应噪声
②引起IGBT接口电路的电压升高
③使得晶体管轻微地导通,使得负压上升。这不仅导致功耗的增加,同时会扰动系统的正常运行。
IGBT关断时产生的负压会对绝缘介质产生巨大的压力。如果压力过大,会损坏绝缘介质,影响设备的可靠性。此外,由于关断时的反向电压会产生高频噪声,还会导致设备本身产生较大的EMC问题。
因此,在IGBT开关电路中常常使用辅助电路,这里以脉冲变压器为例,可以起到缓解电荷的作用,从而减缓负压产生的速率,保护压力敏感材料的绝缘性能,同时降低EMC问题的频率和幅度。
由于IGBT关断过程所承担的电压和电流存在大量的时间变化,而在这个过程中,电流和电压都极为复杂,部分时间变化率达到每秒数千伏或千安,可能会出现一些意想不到的后果,如电流峰值欠压、电流越过零点部分后又发生回升等各种复杂的波形。
因此,设计人员需要在IGBT的关断过程中考虑更多的失真因素和补偿措施,以保证所设计的IGBT系统稳定且可靠地运行。