n mos管为什么n区高掺杂 为何n mos管的n区高掺杂

1、 PN结

PN结是MOS管中的主要结构之一，n mos管的N区、P区的形成需要依靠PN结。N区高掺杂是为了提高导电率。同时P区低掺杂是为了提高阻断电压。

2、 N+沟道

N+沟道是在P衬底上形成的，通常要求沟道区域导电性好，为了防止积累效应，N+沟道通常高掺杂。

为了形成N+沟道，需要在沟道附近掺杂高浓度的n型杂质，而n型多掺入浓度能够提高沟道的导电性，从而提高MOS管的性能。

3、 氧化层的缺陷

MOS管中的真空隧道氧化层通常是通过氧化硅层制成，制作过程中可能会存在缺陷。缺陷的存在使得μ量级的掺杂浓度就足以在氧化层中引起非常强的电场。

由于在每个缺陷附近都有电荷堆积，即使只有微小的掺杂也能制造出足以在氧化层显著增加电场的电子与空穴密度。

4、 工艺要求

由于n mos管中的N+沟道需要通过高浓度n型杂质制造，因此构成MOS管的芯片需要采用相应的高温工艺。高温工艺可以加速杂质的扩散，使其更容易掺入其它层次的杂质中。

此外，MOS管中的每一区域（源极、漏极、沟道）都需要通过不同的掺杂，需要在不同的工艺条件下进行掺杂和扩散，以形成MOS管的不同区域。