Superjunction是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术,它通过在器件中加入交错的多个P型区域和N型区域来提高功率MOSFET的性能。Superjunction技术由Siliconix公司于1992年推出,现在已经成为许多功率MOSFET制造商的主要技术之一。
Superjunction技术有以下几个优点:
1. 低电荷耗散. Superjunction器件中使用的P型区域一般比传统MOSFET的P型衬底要浅,这使得在一个Superjunction器件中需要一个较少的区域来承载同样的电荷,因此Superjunction器件的电荷耗散更小。
2. 高电压承受能力. 可以通过在器件中加入更多的区域,来增加器件的耐压能力。
3. 低开关损耗. Superjunction技术的设备结构使其具有非常低的开关损耗,可以实现更高的开关频率。
由于Superjunction技术具有高效率、低电荷耗散、高电压承受能力和低开关损耗等优点,因此它被广泛应用于许多领域,特别是在高频率、高效率电源转换器和电机驱动器中。
在电源转换器中,Superjunction MOSFET能够在几千千赫兹的高频率下工作,它的低电荷耗散和低开关损耗使得电源转换效率更高,从而可以更好地满足能源管理的需要。
在电机驱动器中,Superjunction MOSFET的高电压承受能力使得它可以满足驱动高电压电机的需要。此外,Superjunction MOSFET的低开关损耗和低电荷耗散使得电机驱动更加高效。