将IGBT的G和E端短接可以增强IGBT的输出电流和速度,使其更适合高频率和高电压应用。此时,G和E端的P-N结将不再起到限制电流的作用,从而提高了电路的传输速度和输出电流的能力。
同时,IGBT的漏电流也会有所降低,因为G-E短接使得对IGBT开关的控制更加精确和可靠,从而减少了漏电流的发生。
在一些特殊情况下,IGBT可能会出现“电压暴涨”现象,即IGBT的反向电压急剧上升,可能导致设备损坏。而将IGBT的G和E端短接可以帮助抑制这种现象的发生。
短接G和E端之后,如果IGBT的反向电压超过其耐压能力,就会出现G-E结击穿的情况,从而形成一个反向电流“短路”,保护了设备的安全运行。
在普通的IGBT驱动电路中,需要额外添加一个电阻和二极管来控制IGBT的开关,增加了电路的复杂度和成本。而将G和E端短接之后,就可以省略这个额外的电路,简化设计,降低成本。
在实际应用中,如果设计不当或驱动电路出现故障,可能会对IGBT造成损坏或毁坏。而将G和E端短接可以降低这种风险,因为这样做可以保护IGBT电路、保护其他元件免受过电压损伤,因此可以被视为一种“保险措施”,提高了系统的可靠性和稳定性。