MOS管(场效应晶体管)是一种用于电子开关和调节的半导体器件,它的导电特性是通过半导体材料与电性工程来控制的。而你所提到的 MOS管 qg 单位实际上是 MOS管的属性之一。
MOS管的关键参数包括漏电流、截止电压和门极电容等,其中门极电容即是门极和源漏结构的等效电容。qg指的则是gate charge,即 MOS管开关过程中,电荷在门极和源极之间的传递量。
通俗地说,qg指的是 MOS管开关的速度与功耗,它越小则表示 MOS管的开关速度越快,功耗越低。
qg的单位是库仑(C)。而在 MOS管开关的过程中,时间也是关键的因素。因此,我们常用的 qg 的单位不仅仅是库仑,还包括了时间的单位,例如纳秒(ns)和微秒(μs)等等。
计算 qg 的公式为:
qg = Cgd (VGS - VDS) + Cgs VGS
其中,Cgd 是门极和漏极的等效电容,Cgs 是门极和源极的等效电容,VGS 是门极电压,VDS 是漏极电压。
如果你不熟悉这些参数的单位,可以使用 MOS管厂商提供的 MOS管参数查询工具进行计算。
在选择 MOS管时,qg 是一个非常重要的参考参数之一。较小的 qg 可以提升 MOS管的开关速度和效率,降低功耗和发热。因此,很多应用需要低 qg 的 MOS管,不仅包括电子开关,还包括功率逆变器、太阳能逆变器、电动汽车等。
当然,在选择 MOS管时,需要综合考虑多个参数,以找到最适合你应用的 MOS管。