Rdson简称为开通电阻,通常指场效应管(MOSFET)内部的电阻,是用来描述场效应管导通时导通管内固有电阻的一个参数,以欧姆为单位。
Rdson是场效应管(MOSFET)的内部电阻,它主要的作用是消耗漏源电压,产生热量, 并在场效应管导通时,损失一定的电压。在一些功率放大电路和开关电源电路中,MOSFET导通状态的电压降主要由Rdson产生。
同时,当 MOSFET导通时,Rdson也是切换时的一个物理特性参数。Rdson越小,导通时损耗的能量也就越小,因此 MOSFET 的效率就会提高,同时也可以减少功率变化时的噪声影响。
在实际应用中,为了准确描述场效应管(MOSFET)的电气性能,需要对其Rdson进行测量。一般常用的测试方法是用普通万用表测量电阻值。只不过,市面上的大部分万用表的测量范围不太够,可能要选择有专门测量Rdson能力的万用表或者合适的测试仪器。
Rdson是场效应管内部的电阻。与场效应管大小(外观尺寸)相比,Rdson的大小难以安排,因为它取决于管芯的内部结构。不过,我们可以通过一些设计措施来达到优化的目的:
①通过调整材料特性,改进管芯内部的扩散导通层和压阻区等结构;
②通过进一步优化工艺,改善管芯内部的细微结构,以达到减小Rdson的目的。
通过优化Rdson的大小,可以降低场效应管内部的整体发热情况、增强单个场效应管的导电能力,提高整个 MOSFET 元器件的质量和可靠性等方面的效果。