ir2110为什么要高位自举 ir2110高位自举必要性

1、IR2110芯片的基本结构与工作原理

IR2110芯片是一种高性能单路低和高电平驱动芯片，采用Bipolar CMOS DMOS（BCD）工艺制造。其内部包含两个逻辑单元：LOW-SIDE部分和HIGH-SIDE部分。LOW-SIDE部分用于控制低端开关MOS管，HIGH-SIDE部分则用于控制高端开关MOS管。

在工作时，IR2110芯片通过输入控制信号和高低电平信号控制MOS管的导通和截止。由于MOS管本身电容较大，需要消耗较大的电流来实现导通，因此需要给HIGH-SIDE部分提供高电平带，也就是高电平自举。

2、高位自举的作用

高位自举是指将HIGH-SIDE部分的驱动电源（Vcc）提高到电源电压（Vdd）的一定电平，通常是Vdd-10V以上。采用高位自举技术可以使HIGH-SIDE部分驱动MOS管时，输出信号的上升时间和下降时间都减小，从而缩短了MOS管的开关时间，使MOS管更快速地响应控制信号。

此外，高位自举技术还可以减小HIGH-SIDE部分的开关损耗，提高芯片的效率，降低芯片温度，延长使用寿命。

3、高位自举的实现方式

IR2110芯片的高位自举实现需要两种电源：一个是Vcc电源，用于LOW-SIDE部分的驱动；一个是BOOT电源，用于HIGH-SIDE部分的驱动。BOOT电源以HIGH-SIDE输出端为负载，由一个电容器充放电产生，该电容器被称为BOOT电容。

在实际电路中，由于BOOT电源需要提供比Vcc更高的电平，因此需要通过外部电路实现。通常在Vcc和HIGH-SIDE电源上加一个电感元件，这个元件被称为BOOT电感，其作用是将HIGH-SIDE电源有源地升高到Vcc+Vboot的水平，从而实现高位自举。

4、高位自举的注意事项

在使用高位自举技术时，需要注意以下几点：

（1）BOOT电容要选用合适的大小，过小会导致输出电流不足，过大会影响响应速度。

（2）BOOT电感不宜过小，一般为数百nH左右。

（3）为了保证BOOT电源的可靠性，建议加入反并联二极管。

（4）在使用高斯滤波电路时，需要保证该电路能够滤掉BOOT电源的开关干扰信号。