晶圆为什么要减薄 晶圆为何需减薄

1、晶圆为什么要减薄

晶圆减薄是半导体制造中的重要工艺。晶圆如果过厚，对于后续的制造工艺会带来很多不便，严重影响晶体管的性能。因此，在生产晶体管时，需要对晶圆进行薄化处理。

首先，晶圆减薄可以降低晶圆的阻抗。如果晶圆过厚，那么晶圆上方的信号需要通过更厚的介质层到达下方，从而导致信号的反射和延迟，影响晶体管的互连性能。

其次，晶圆减薄可以减小晶体管的尺寸。随着技术的不断发展，芯片的制造工艺日益精细。而晶圆过厚会导致晶体管的尺寸变大，进而影响运行速度和功率等性能指标。

2、晶圆减薄的工艺流程

晶圆减薄的工具是晶圆背面研磨机。其工艺流程包括四个步骤：粗磨、去胶、中间磨和光洁面。

首先，利用粗磨机进行粗磨，将原始晶圆背面的基材削薄至几十Micron左右，去除背面的晶体衬底；然后进行去胶处理，将研磨中产生的残胶去除；接下来是中间磨的过程，进行进一步的修整晶圆厚度；最后进行光洁处理，使晶圆背面拥有更好的平整度和光泽度。

3、 晶圆减薄的注意事项

晶圆减薄虽然是一个重要的半导体制造工艺，但是在实际操作中需要注意以下几点：

首先是晶圆边缘的控制。由于晶圆背面研磨的工艺会使薄化的边缘处产生边角，因此需要特别注意晶圆边缘的控制，以免边缘处产生缺陷引入问题。

其次是加压的控制。加压力度的大小会影响研磨的效果，加压过强或过弱均会导致晶圆质量不良或工艺失败。

最后是晶圆形变的控制。晶圆减薄过程中产生的应力会使得晶圆产生一定的形变，因此需要特别注意晶圆的形变情况，以免影响后续工艺的进行。