集成电路核心技术是什么 集成电路的核心技术是什么？

1、集成电路的定义

集成电路，英文名Integrated Circuit，简称IC。它是指将多个晶体管、电阻、电容、电感等元器件及其相应电路，集成到一块小小的半导体晶片上，并用一定的工艺方法予以封装而成的微型器件。IC内部有成千上万个电子元件、电路和连接线，可完成信号放大、滤波、分立元器件及数字电路等多种功能。

但是，仅仅拥有IC并不能解释成就了这个半导体行业的“集成电路技术”，IC还需要应用于各种电子产品中，实现各种功能的高效集成。

2、制造技术

制造技术是实现集成电路核心技术的关键之一。它不仅决定着IC制造厂商花费的成本，也影响着电路性能的好坏。为了在一颗芯片上成千上万的嵌入式被动器件元件、微型晶体、微型电容、双极性晶体管、场效应晶体管，制造技术必须达到一些技术台阶。目前世界上先进的集成电路制造技术主要有三类：BJT晶体管工艺、MOSFET晶体管工艺，以及混合工艺。

3、工艺的数据度量

CMOS工艺（亦称为N型/双极MOS工艺）通常用最小制造线宽（L）及两线之间的线距（W）来界定，即所谓的掩膜参数。最小制造线宽或线距被称为晶体管门宽，是CMOS客观表征工艺可执行性的参数。而且，CMOS等工艺信息越密，其芯片尺寸就越小，功耗就越低。

另外，集成电路制造工艺的进步不仅在于工艺的创新，更重要的是在信息技术、物理、化学和机械加工等几个方面的割裂研究及工艺特性的综合考量。

4、集成电路性能优化

通过制造工艺优化等途径可以提高集成电路性能。例如，与基于平面工艺制造的器件相比，基于三维自组装技术的器件可以通过添加更多的电子组件、更高效的电子器件连接方式，提高IC效率。

此外，集成电路最重要的性能之一是功率性能。为了提高功率性能，晶体管元件可以使用在工作电压方面效率更高的MOSFET晶体管。MOSFET晶体管可以被制成更小、更快并且尺寸更小的器件。因此，对集成电路的功耗性能优化，也是非常重要的性能提升之一。