FInFET是Fin型场效晶体管的缩写,也就是鲍勃·博伊斯(Bob Boyle)和陈明正博士(Dr. Chenming Hu)发明的。通常,FinFET是一个有相对薄小的“鳍(Fin)”的MOSFET。FinFETs可以在低电压下实现甚至更少的电流漏失,这意味着设备更加省电、节能。FinFETs是制造更小、更快、更省电子器件的关键技术,是现代半导体制造业中的标配工艺。因此,FinFET制程是为了更好的性能和更少的功率消耗而改进现有MOSFET电路结构的一种标准工艺。
FinFET 制程是针对当前芯片尺寸缩小所带来的信号电压降低,要求器件的静态功耗(S)有显著的降低,器件速度(V)以及抗电离辐射能力(I)等性能有显著的提升,这是因为FinFET比第三代计划门极铝电极MOS晶体管有更小的反向漏电流,更低的功耗和温度效应,因而提高它的速度和可靠性。FinFET制程具有工艺简单、性能稳定、器件间隙小、面积小、节电效果显著等特点,而且针对性地解决了MOSFET及SOI场效应晶体管(FET)遇到的移位效应、寄生电容、温度影响和耦合效应等问题 。
现代集成电路应用中,finfet制程适用的领域非常广泛,比如智能手机、平板电脑、云计算、大数据、人工智能、进口曲线发动机控制器、超声波、光子学器件、固态加热器等,这些设备中都采用了finfet技术,因为它有很多优点,比如更高的集成度、更高的处理能力、更低的功耗、更快的响应速度、更强的抗干扰能力。
FinFET制程相比传统工艺有很多改进:
1. 节约了能源,使芯片功耗更低;
2. 体积更小而且更安全。
3. 整体性能更好,更适合于高密度的芯片。