光电阻是指利用半导体材料的光致电导效应,实现对光强的测量的器件。
光电阻的特点是具有反应速度快、灵敏度高、线性范围广等优点,因此在光电自动测量、光度测量、直接观察光强分布等方面得到广泛应用。
光电阻的工作原理是基于光致电导效应,即固体中的载流子逃逸受制于固体势阱的束缚,光子输入后,吸收光子的能量可推高光电子的能级,使之越过固体势阱的势垒,达到导电的条件。
同时,光电子还会在能带弯曲处遭受势垒的阻挡并被固态材料和表面等缺陷处的杂质散射,从而产生介电常数和电导率的变化。
制作光电阻的原理是 利用光电导材料的电阻值与光强之间的关系,经过合理的工艺条件制成对光敏感的电阻器件。
光电阻的主要材料是含有半导体材料的化合物,如硫化铟族、硒化锌、硒化铟、碲化镉等。通过摻杂和处理半导体材料,使之具备对特定波长的光的灵敏度。
光电阻的主要特点是具有以下几个方面:
1. 品质好,相对稳定,并具有线性响应;
2. 灵敏度高,有较大的增益,可以轻松适应弱光环境;
3. 可以测量并判断特定波长下的光强,实现光电传感;
4. 可以在宽波长范围内工作。
总之,光电阻作为一种光使半导体材料导电的光敏器件,不仅具有专门性好、响应速度快、能量消耗少等诸多优点,而且具有广泛的应用前景,已经成为多种光电传感器件的重要组成部分。