在电路图中,qm是一个标记符号,用来表示场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)。
场效应晶体管是一种半导体器件,相比于双极性晶体管,其具有更高的输入电阻,更低的噪声和更好的线性度,常用于低噪声放大器、功率放大器、开关等电路中。
通常,在电路图中,qm的符号有多种不同的形式,但都有一个共同点,即它们使用箭头表示电流的流动方向。
场效应晶体管的主要结构包括源极(S)、栅极(G)和漏极(D),其中栅极是一个可以通过外电压控制电荷载流的电极。
相比于双极性晶体管,场效应晶体管具有以下几个特点:
1)输入电阻高:由于栅极的输入电阻高,场效应晶体管不需要输入电流就能形成放大,而且输入电阻的大小可以从几百欧姆到数千兆欧姆不等。
2)电压控制:栅极可以通过外部电压来控制电荷的移动和载流子(电子或空穴)的数量,进而改变漏电流,实现对输出电流的控制。
3)噪声小:由于输入电阻高,场效应晶体管在放大时产生的噪声较低。
场效应晶体管在电路中广泛应用,下面列举几个常见的应用:
1)低噪声放大器:场效应晶体管由于具有噪声小的特点,通常被用来放大低电平信号,如射频信号。
2)功率放大器:场效应晶体管由于具有高输入电阻和低输出阻抗的特点,适合用于放大高频信号,如微波信号。
3)开关:由于能够在输出电流上实现电压控制,场效应晶体管常被用作开关,如频率控制开关(VCO)、脉冲宽度调制(PWM)等。
在选型场效应晶体管时,需要考虑以下因素:
1)最大漏极电压:该参数代表了晶体管能够承受的最大漏极电压,一般应与实际使用需求相符。
2)最大漏极电流:该参数代表了晶体管能够承受的最大漏极电流,一般应比实际使用电流略大。
3)增益:代表了晶体管在某一电流点的放大倍数。
4)阈值电压:代表了外加在栅极上的电压超过该值时,晶体管开始导通的情况。
根据应用场景和具体需求,可选择不同的参数范围内的场效应晶体管。