Flash电子元件指的是具有可编程的非易失性存储器的电子元件,由于其存储非易失性,意味着即使断电后存储的数据也不会丢失。在电子设备中,Flash电子元件主要用来存储程序代码,操作系统、嵌入式系统、固件、BIOS等。与传统的RAM相比,Flash电子元件具有更高的存储密度和更长的寿命。
EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)电子元件与EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)电子元件是Flash电子元件的前身,其中EEPROM和Flash电子元件有许多相似之处。不过,EEPROM需要整个扇区擦除,擦除操作需要较长时间;而Flash通常只需要擦除单个块,速度更快。EPROM电子元件则需要用紫外线进行擦除,需要更复杂的操作设备。
Flash电子元件采用的是一个叫做电子隧穿效应的物理效应进行写入和擦除操作。其原理是在存储芯片的控制端导入一个高电压,通过半导体上的电子穿过势垒的过程,改变了单元内部的电荷状态,从而实现了数据的存储。写入的时候,电子被加速穿过势垒,撞击到氧化物上的杂质,采用影响了杂质和半导体的通道之间的肖特基势垒,改变了储存夹心的中的电荷状态,从而实现数据的保存。擦除时,也使用了类似的物理原理。
Flash电子元件的主要应用领域是存储处理器固件、系统BIOS、基于Flash存储的视频和音频媒体、嵌入式设备芯片等方面,还广泛应用于各种数字设备如手机、照相机和网络设备等中。