PNP和NPN代表着两种基本的晶体管结构,它们分别由P型、N型半导体和N型、P型半导体构成。
PNP晶体管的三个区域分别是P型基区、N型发射区和P型集电区,三个区域之间通过PN结电路连接。
NPN晶体管的三个区域分别是N型基区、P型发射区和N型集电区,三个区域之间仍然通过PN结电路连接。
PNP晶体管工作时,在P型基区施加正电压,使得基区与发射区之间的PN结正向偏置,此时空穴从基区向发射区注入,由于发射区比基区高一个pn势垒,空穴跨过势垒流入发射区,电流从发射区到集电区流动,晶体管就处于导通状态。当基区施加负电压时,基区与发射区之间的PN结反向偏置,使得空穴不能注入,电流停止,晶体管截止。
NPN晶体管工作时,与PNP晶体管相比,其基区为N型半导体,其它结构相同。施加正电压时,电子从基区向发射区注入,流入集电区,晶体管导通。施加负电压时,电流停止,晶体管截止。
PNP、NPN晶体管的应用非常广泛,例如,在电子电路中,PNP、NPN晶体管常被用来做开关、放大器、振荡器、稳压器以及逻辑门等。
PNP、NPN晶体管也是信号放大、数字电路、微电子、计算机、通信、放大及控制系统的基本器件。
PNP、NPN晶体管的主要区别在于两种晶体管的极性不同。PNP晶体管中,电流流动的方向是从集电极到发射极,而NPN晶体管中,电流流动的方向是从发射极到集电极。此外,P型半导体材料在水平方向上比N型半导体材料更脆弱,制造难度也更大。