MOS是一种金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor)
它是一种晶体管结构,由独立栅HL,平面源S和漏D组成,因此MOSFET成为一种三电极二端口器件。
mos的阈值电压是指在关闭状态下,当控制电压达到一定的电压值时,mos开始导通的电压。阈值电压大小决定了mos的导通和截止。
在mos的加工工艺中,会根据工艺和设计要求调整材料尺寸,从而影响阈值电压。
因此,mos的阈值电压大小是因加工时工艺参数调整和设计要求而不同的。
mos的阈值电压大小是影响mos工作特性的一个重要参数,它决定了mos的导通和截止状态。阈值电压的大小和mos工艺的制造与调整密切相关。
一般来讲,mos的阈值电压是被设计者通过工艺调整和计算得出的。在ic设计中,如果阈值电压过低,电路的噪声容限将变得很小,容易受到干扰。而如果阈值电压过高,则可能导致mos无法正常导通,影响电路的正常工作。
因此,经过实践和研究,mos的阈值电压一般被设置在100mV以上,可以保证在ic设计及接口之间数据传输的可靠性。
mos的阈值电压大小是由制造工艺参数和设计要求共同决定的。其中影响因素主要有以下三个方面:
1)衬底掺杂浓度的改变:衬底掺杂浓度的改变会改变场效应晶体管的阈值电压。
2)氧化物厚度的改变:氧化物厚度的改变会影响到场效应晶体管中的电荷密度,从而影响到mos的阈值电压。
3)介入金属电极的影响:金属电极的充电状况会对介入金属电极处的电场造成一定的影响,进而影响mos的阈值电压。