IGBT EAS是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的简称,是一种高压、高性能的功率半导体器件。IGBT EAS电源模块是由IGBT与感性电路组成的,通常用于高效、高频、高功率的变换器、逆变器、电力传输、电力转换、以及交、直流驱动等领域。
IGBT EAS具有高集成度、高电压、高速度的优点,同时还有以下几个特点:
(1)低阻性导体材料,减少导通损耗。
(2)绝缘栅和通道之间的绝缘层,可以提高其电路元件的抗噪声和过电流耐受能力。
(3)能够具有更高的输入电容容纳,可以更高效地传输功率,提高其电路元件的抗噪声和过电流的耐受能力。
(4)稳压性强,工作效率更高、更加安全,大大提高了运行可靠性。
IGBT EAS广泛用于发电厂、工厂、矿山、港口、石油化工、交通运输以及许多其他领域的电力系统中。特别是在高压、高耐久、高可靠性的逆变器、交流电机驱动、交、直流传输中经常使用IGBT EAS。
IGBT EAS也被应用于倒车助力、阿波罗舱内生命保障系统、医疗科技、机器人、自动化生产等领域。
未来IGBT EAS将继续向高集成度、高频率、低损耗、高性能的方向发展。同时,随着电动车辆、可再生能源等领域的不断发展,IGBT EAS也将成为这些领域的重要核心部件之一。IGBT EAS的应用前景非常广阔。