igbt的m是什么 IGBT的M代表什么？

1、什么是IGBT和MOSFET

在介绍IGBT的m之前，我们需要先了解什么是IGBT和MOSFET。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是常用的功率器件，都具有高效、高可靠性和低开关损耗等特点。

MOSFET是利用场效应管的原理来控制电流的。在没有正向电流的情况下，MOSFET的阻抗非常高，因此只需要极小的电压就可以控制输出电流。它被广泛应用于各种DC-DC转换器、逆变器、交流电机驱动器和LCD背光电源等领域。

而IGBT则是由双极型晶体管（BJT）和MOSFET两种器件结合而成的。它既有MOSFET的驱动特性，又有BJT的导通能力和饱和控制特性，因此被广泛应用于交流电机驱动器、UPS电源、变频器、电炉驱动器等领域。

2、IGBT的m是什么

IGBT的m值是指其控制极（G）与驱动极（E）电压的比值。m值越大，控制电压越小，控制灵敏度越高。通俗的说，m是IGBT关闭前的阈值电压。比如，当m=10V时，如果驱动极（E）的电压高于10V，IGBT将处于导通状态；否则，IGBT将处于开氧化状态。

对于各种功率器件，m值都是一个重要的参数。例如，同样是800V电压等级的MOSFET和IGBT，由于MOSFET的m值比IGBT要小得多，所以其控制电路中的电压信号也就更容易处理，控制也更为简便。

3、影响IGBT的m值因素

IGBT的m值在工作过程中会随着温度的变化而发生改变，因此需要对温度进行补偿。低温时，m值较小，而高温时则较大。

此外，IGBT的工作电流也会对其m值产生影响。当IGBT承受的电流越大，其m值也会相应增加，因此需要在选型时进行合理的设计和匹配。

4、结论

总之，m值是影响IGBT控制灵敏度的重要参数。在实际应用中，需要根据具体的工作条件选型和设计，合理控制IGBT的m值，以达到最佳的控制效果和性能。