场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种使用电场来控制电流的半导体元器件。它的主要结构由源极、漏极和栅极组成。
场效应管的导电是通过栅极电场与内部介质的电场相互作用从而控制漏电流和源电流的。其导电可以从以下几个方面来解释。
控制型场效应管,也称为增强型场效应管,导电主要是通过调节栅电压,使栅极与漏极之间的电场发生变化,从而改变漏极电流和源极电流之间的电子扩散速度。
当栅电压Vgs<0时,场效应管处于截止状态,漏极电流I_D=0;当 0
场效应管中栅极和漏极之间存在内部电场,这种电场的作用产生了有效的弛豫时间,让导电通道的载流子更加集中和流动,导致漏极电流增加。因此,我们可以说场效应管通过控制内部电场来实现导电。
场效应管中加入了自引型结构,使得漏极与栅极之间的电场得到了进一步的加强,导致漏极电流增加。这一结构主要是指漏极电流流过结构时,会在沿着漏极侧面形成的自引电场的作用下向其反向汇聚。这个方向上的漂移效应可以促进载流子在沿着输运方向快速移动。
综上所述,场效应管的导电主要通过控制栅极电场、内部电场和自引损耗来实现。这种导电方式可以让场效应管应用在许多电子器件中,如放大器、开关等领域。