mosfet的g是什么极 mosfet的栅极是哪一极

1、mosfet和晶体管的区别

mosfet和晶体管都是半导体器件，都具有放大和开关的作用。但他们的工作原理和结构却有很大区别。mosfet的特点是输入电阻高，输出电容低，适合高阻负载的放大电路；晶体管的特点是输入电容低，输出电容高，适合低阻负载的放大电路。mosfet可以用在射频功率放大器，数码电路，功率开关，电源等领域。

2、mosfet三极的结构和作用

mosfet有三个电极，分别是源极（S）、栅极（G）、漏极（D）。在mosfet中，栅极扮演着控制漏极电流的关键 role。栅极中有一个非常薄的金属氧化物层，当与栅源电压相应增加时，栅源电势差就会增加，进而形成漏极和源极之间的“沟道”，使漏极电流流过电路。在mosfet中，栅源电压越大，沟道越打开，漏极电流就越大。

与晶体管不同，mosfet的栅极一般不会产生能量消耗，而且输入电容很低，因此mosfet在高频电路等场合都十分受欢迎。

3、mosfet的G极是什么极

G极是mosfet中栅极的缩写。在mosfet电路中，G极是一个“控制极”，通过改变栅源电压大小，控制沟道电阻，从而控制漏极电流的大小。换句话说，G极是作用于控制mosfet电流的输入极。此外，在mosfet电路中，G极不直接与漏源相连，它是通过一个电容或者电阻作为输入信号从驱动装置（比如场效应管驱动电路、可控硅、继电器等）作用于mosfet。

4、mosfet的G极如何驱动

mosfet的G极驱动，需要注意以下三个方面：

1、抑制驱动源产生的噪声和电磁干扰；

2、保证大电流快速转换；

3、保证驱动G极的电平和G极本身的电势之差，符合mosfet的最大电压，以免氧化层损坏和闸极击穿，导致mosfet失效。

不同场合、不同电路，需要选择合适的驱动电路。有一些专门的mosfet驱动芯片或者模块，也可提供更为可靠和便捷的驱动方法。