电路wbg是一种集成电路的制造工艺,wbg代表宽禁带材料(Wide Bandgap)。
与传统的硅材料相比,宽禁带材料具有更大的能带隙和更高的电子饱和速度,能够在高温、高电压和高频率下实现更高的性能和效率。因此,在高性能电器和电子设备中广泛使用。
常见的宽禁带材料包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氮化铝镓(AlGaN)。其中,碳化硅是最先被应用到电力电子和核心器件领域的宽禁带材料之一。氮化镓和氮化铝镓相对较新,但具有更高的开关速度和更高的电力密度。
目前,这些宽禁带材料已经开始被应用到智能手机快速充电、电动汽车和无线充电、高速列车、离子飞行器等领域。
电路wbg主要应用于高压、高温、高速、高功率和高频率等场合,例如:
电路wbg与传统硅材料相比,具有以下优点:
但电路wbg也有缺点,例如: