2n7002dw是一种场效应管(FET),属于P-沟道增强型MOSFET,由尼克萨斯半导体公司生产。它是一种低压、低功耗、小信号N型晶体管。它的封装是SOT-363,尺寸非常小(仅2mm × 2mm),适合于需求紧凑、低功耗的应用场合。
2n7002dw的技术规格如下:
1. 额定电压:60V
2. 额定电流:350mA
3. 管子输出功率:200mW
4. 开启电阻:5Ω
5. 关断电阻:50MΩ
6. 转导:0.17S
2n7002dw适用于需要电流小、电压低的场合,如信号放大、低功耗电路、耐压电路等。它还可以用于电池管理、LED驱动、触控开关、传感器等电路设计。
与其他晶体管相比,2n7002dw有以下优势:
1. 低压下的导通特性优秀,稳态输出电阻小;
2. 低阈值电压和低静态电流,可以应用于电池供电电路,可以延长系统运行时间;
3. 体积小、封装简单,方便进行集成和布局设计;
4. 可以高效地驱动一些灯具和电机,由于低静态电流和低开启压降,从而可以减少能源损耗。