PMOS(transistor)(PMOS晶体管)是一种基本晶体管,被用于数电电路的设计。它与NMOS晶体管补充使用,以创建CMOS逻辑电路。PMOS的电路特性与NMOS相反,电流与N沟道特性在PMOS是由P沟道特性控制。
当负电压施于门极时,沟道截止,不生成漏极电流;当门极电压为正时,沟道被形成,漏极电流流过PMOS。这种器件电路特性和NMOS完全相反。在使用PMOS应用时,通常PMOS用做高电平信号的开关,NMOS用做低电平信号的开关。
在数字和模拟电路中,PMOS经常被用来控制电路的输入输出。由于CMOS器件消耗电流特别小,甚至不使用时,CMOS消耗的静态电流也很小,因此在需要更高的电池寿命和长时间电力的应用中,PMOS是首选。
除了在数字和模拟电路中,PMOS也可以在放大器电路、过高电位保护电路等方面使用。
PMOS可以工作在比较高的电位下,通常输出电位最高可达到正电源电位,这使得PMOS成为一种在高电压工作的电路中优秀的开关。
在CMOS电路中,NMOS和PMOS相结合使用可以形成一个电路功耗非常低的组合,此组合通常用于微处理器的制作中。
PMOS通常可以快速稳定连接,因此可以在开关和保护电路等方面高效使用。
与NMOS相比,PMOS消耗的功率更大,其中的原因与它的结构有关。
PMOS具有相对较高的开关时间,这也导致它通常不是一个理想的选择,如果对速度要求比较高的话,应该考虑其他的可靠性更高的器件。