MOS电容简称MOSCAP，是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor)的缩写。MOS电容一般是指有源区域（PN结）及栅氧（GATE OXIDE）组成的电容器件，属于非线性元器件。与传统电容不同的是，MOS电容由于存在表面势垒和空间电荷区（Depletion Layer），电荷分布呈现高度非均匀性，因此其电容的大小不仅仅取决于填充其两极间距离和填充的介质常数，还受到MOS结构参数的影响。
MOS电容是由栅极（GATE）、衬底（Substrate）和扩散区（diffusion Region）组成的，MOS的电容面积在栅极和扩散区之间。当栅极电极上加有正电荷时，会导致电子向氧化层半导体界面迁移，积累在氧化层表面。如果反极性电压施加在栅极电极上，半导体表面上的载流子将会被吸引。栅极与述区间距越小，则电容的比例就越大，反之亦然。在制造过程的制定过程中，栅极、衬底和扩散区的形状大小和距离都会对MOS电容大小产生影响。
栅氧厚度是影响MOS电容大小的主要参数之一。这是因为电容在存储电荷时集中在氧化物上，栅氧厚度越小，形成介电层的间距就越小，形成的电容容量就越大。然而，随着技术的不断变革，MOS结构尺寸和栅氧薄度也在不断缩小。薄栅氧层会降低MOS电容的质量，可能导致栅电压过高导致钝化。在制造MOS结构时，应根据具体条件综合考虑厚度问题，并建立完善的测试工艺和质量控制流程。
MOSCAP的性能不仅取决于氧界面质量，还与氧化物材料特性的选择密切相关。高介质常数和低电子亲和力的氧化物材料通常被认为具有良好的电容性能，这些材料通常被选择制作高品质的高电容电阻比部件。常见的氧化物材料包括硅和硼等，确保选择合适的基材用于生产。
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