BSP170是一款MOSFET(场效应晶体管)产品,主要用于在低电流、低电压的情况下进行开关控制。
该产品属于N沟道MOSFET,具有极低的开关电阻和停止电流,可以在电荷移动过程中实现快速的开关控制。
由于BSP170的特性,使得它在低压、低电流场合具有很好的应用,比如:
(1)用于电池供电系统,控制电流,充电保护等;
(2)用于电机驱动控制,特别是电机低速启动和停止控制;
(3)用于LED照明系统中,可以进行LED的开关控制。
BSP170的主要参数如下:
(1)VDS:最大耐受电压为60V
(2)ID:最大漏极电流为500mA
(3)RDS(ON):导通电阻为0.9Ω(最大值)
(4)起导电压VGS(TH):1.5V-3.5V
相较于其他MOSFET产品,BSP170的最大的区别是它的场效应晶体管通道结构,具有更小的开关电阻、更低的漏电流以及更低的起导电压。
此外,BSP170的包装形式是SOT-223,相较于SOT-23等其他封装形式,可以承受更高的功率。