元件的雪崩时间是指元件在工作过程中,当电压超过一定值时出现雪崩效应的时间。
雪崩效应是指PN结在反向电压作用下,由于电场强度增大,载流子的碰撞电离增多,使PN结中的空穴与电子对以倍增方式产生,并引起毁坏现象,这就是雪崩效应。
雪崩效应一般在半导体器件的高可靠性要求电路中尤其重要,可以在反向电压强度达到一定程度时,使器件发生不可逆的烧毁现象。
影响元件雪崩时间的因素主要有两个:反向电压和温度。
反向电压是导致雪崩效应的主要因素,反向电压越高,雪崩效应越严重,元件的寿命也会大大缩短。
温度的影响也很明显,温度越高,元件内部电子会更加活跃,之间的碰撞电离减少,就会导致雪崩效应减弱,而温度越低,这种效应就会增强。
为了延长元件的寿命,需要从以下几个方面入手:
1、控制反向电压,最好不要超过元件的最大反向电压。
2、降低元件的工作温度,避免高温环境下使用。
3、使用符合规范的元器件,防止使用假冒伪劣元件。
4、梯度设计,合理的布置供电电路及散热结构,避免元件长时间工作在高温环境中。