mos管分为n沟道型和p沟道型两种,主要看沟道区和基极区的掺杂类型。n沟道型mos管沟道区是n型材料,基极区则是p型;p沟道型mos管沟道区是p型材料,基极区则是n型。
因此,在选型时需要根据具体的使用场景,选择输人和输出的信号类型是正负或负正。
mos管的漏极电流(Idss和Id(on))是mos管选择的重要参数,它决定了mos管在需要的电压和电流下的导通能力。Idss指的是当mos管的栅源电压为0时,漏极电流的方框值;Id(on)指的是当mos管的栅源电压为指定值时,漏极电流的饱和值。
在选型时,可以根据实际需要考虑负载情况确定漏极电流的选择范围,然后再从中选择一个合适的值。
mos管的漏极电阻(Rds(on))指的是mos管在通态时,从漏极到汇极的电阻。它是mos管导通能力的另一个重要参量,低电阻代表mos管导通时能够提供更小的功率损耗,因此也被称为导通区的电阻。低Rds(on)对于一些需要高效率的电路非常重要。
在选型时,需要根据具体的应用场景,选择一个合适的Rds(on)来达到最大效率。
mos管的栅源极电容(Cgs)指的是mos管栅极和源极之间的电容。在mos管中,Cgs代表的是输入电容,是影响mos管的输入阻抗的重要因素。因此需要在选型时关注Cgs的值。
在实际应用中,需要根据具体的输入电路特性考虑Cgs的值,以保证输入电路的匹配性。一般情况下,输入电容越小,输入阻抗越大,越容易匹配。