CMOS是“互补金属氧化物半导体”的缩写,是一种低功耗、高集成度的半导体集成电路技术。CMOS存储器是一种由CMOS技术制作出的、具有高性能和低功耗的数字存储器,在计算机及其周边设备中广泛应用。
CMOS存储器通常可分为静态随机存储器(SRAM)和动态随机存储器(DRAM)。“静态”和“动态”分别指在数据写入存储器之后,不同存储器在存储数据的方式上的差异。
SRAM是一种采用脉冲器件静态存储原理的随机存储器。在SRAM中,每个存储单元由6个晶体管组成。
SRAM存储器的特点是存取速度快、存储体积小、功耗低、可靠性高。由于SRAM存储器的内部结构比DRAM更为简单,其制造成本也更低廉,所以在计算机的缓存中广泛应用。
DRAM是基于动态随机存储器原理制造的一种存储器类型。DRAM的存储单元是由一个电容和一个开关晶体管组成的。
DRAM存储器的特点是存储密度高、成本低,但是由于其存储单元采用了电容存储原理,存储时间相对较短,需要定期刷新,所以其速度相对SRAM较慢。在计算机的内存中广泛应用。
CMOS存储器目前已经广泛应用于包括计算机、移动设备和智能家居在内的众多领域。其中,SRAM主要用于CPU缓存、LCD显示屏、音视频处理器等高速器件中,而DRAM则主要用于计算机内存、显存、路由器缓存等需要高存储容量的应用中。
近年来,随着物联网等新兴技术的发展,对低功耗、高存储容量、高可靠性的CMOS存储器的需求越来越大,相应的相关技术也在不断地进行创新研发。