SRAM是静态随机存储器,它与DRAM相比具有更快的读写速度和更低的功耗。因此,SRAM常常被用作cache存储器,它可以快速地提供CPU所需的数据,减少与主存储器的交互,从而提高CPU运行速度。
此外,SRAM也具有更好的可靠性,因为它不需要经常刷新,可以保持数据的稳定性,减少数据丢失的可能性。当然,SRAM相对于DRAM来说价格更贵,因此cache的大小通常不会太大,以保持合适的成本。
DRAM是动态随机存储器,它比SRAM更便宜并且可以容纳更大的存储容量。因此,在一些需要大容量cache的场景下,DRAM也可以作为cache存储器使用。
但是,DRAM相比于SRAM来说读写速度较慢,功耗较高,并且需要经常进行刷新,否则存储的数据会逐渐消失。因此,通常情况下,DRAM只会作为L3 cache或者更低级别的cache使用,而不会作为更高级别的cache。
eDRAM是一种基于DRAM的集成电路技术,将DRAM集成到CPU芯片中,可以减少DRAM与CPU之间的延迟和功耗,并且可以提供更大的存储容量。因此,eDRAM也可以作为cache存储器使用。
eDRAM相比于普通DRAM来说,具有更好的能效、更快的访问速度和更低的功耗。但是,由于eDRAM内置于CPU芯片中,其散热比较困难,并且成本较高,因此目前尚未普及。
NVRAM是一种非易失性随机存储器,可以在断电情况下保持存储的数据不丢失。因此,NVRAM也可以作为cache存储器使用,此时被称为NVRAM cache。
NVRAM cache可以在断电重启后快速地恢复cache数据,避免了cache miss带来的性能损失。另外,NVRAM相比于DRAM来说,也具有更低的功耗和更好的可靠性。但是,NVRAM的访问速度比DRAM和SRAM都要慢一些,因此通常只会将其用作L4 cache或者更低级别的cache。