场效应管什么时候导通 场效应管的导通条件

场效应管什么时候导通

场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，被广泛应用于模拟电路、数字电路和功率电子电路等领域。在使用FET时，了解它的导通原理十分重要。下面从多个方面详细阐述场效应管导通的几种情况。

1、基本导通原理

场效应管在导通过程中，其栅极施加的电压与漏极之间的电势差将决定其是否导通。当没有施加电压时，FET会处于截止状态，导通电流为零。当栅极施加正电压时，由于电势差的大小满足一定条件时，会引入耗散电子或空穴进入导电道，进而使其导通。在P型场效应管中，当栅极施加负电压时，也会导致其导通。

2、漏极电压对导通的影响

在实际应用中，为了保证其导通稳定可靠，需要对场效应管进行漏极-源极电路的合适匹配。漏极-源极电路的合适设计能够使得场效应管在导通时充分利用其输电能力，实现电路的最大功率输出。同时，当电源电压比场效应管最大漏极-源极电压还高时，场效应管也会导通。

3、栅极电流对导通的影响

栅极电流会对场效应管的导通起到重要的影响。当栅极电流增加时，对场效应管的导通是有利的，因为提高栅极电流会增强栅极的控制作用，使得场效应管导通更加可靠；反之，当栅极电流变小时，场效应管的导通会变得不可靠或者停止导通。

4、温度对导通的影响

温度的变化同样会对场效应管导通产生影响。当温度升高时，场效应管的电子迁移率会降低，导通时电阻会变大，进而影响其导通的可靠性。一些场合下，为了保证场效应管的正常使用，在其导通前需要先对其进行稳定加热，提高温度，使得其参数达到设计要求的范围内。