结型二极管（Junction Diode），是一种基本的半导体器件，由于其简单可靠的结构和良好的特性，被广泛应用于电子器件中。它是一种两端带有 PN 结的二极管。
结型二极管由 N 型半导体和 P 型半导体组成，两者接触的结称为 PN 结，其中 P 型半导体的掺杂浓度较大，N 型半导体的掺杂浓度较小。PN 结是一种重要的半导体器件结构，具有单向导电性。在 PN 结两侧的半导体区域中，N 型半导体的材料中导带的能级比 P 型半导体的材料中导带的能级高，而P型半导体中的价带能级又比 N型半导体高。因此，在两个半导体区域中出现一个场，电子受力向 N 区移动，而空穴受力向 P 区移动，最终形成电子向 P 区注入，空穴向 N 区注入的状态。这种状态下，PN结的内部会形成一个电势垒，电势垒一般指空间内电势能的变化，是 PN 结单向导电的基础。
结型二极管的特性可以被分为正向特性和反向特性。正向特性是指在 PN 结正向偏置时的电流电压关系，反向特性是指在反向偏置时的电流电压关系。
正向特性：当 PN 结正向偏置时，P区接高电位，N区接低电位。此时，就会有电子从 N 区域向 P 区域流动，而空穴从 P 区域向 N 区域流动。电子和空穴在 PN 结接触的区域内复合从而引起区间电流的流动。
反向特性：当 PN 结反向偏置时，P区接低电位，N区接高电位。此时，虽然有少量电子穿透 PN 结进入 P 区，但由于反向电场的存在，电子会被弹回，并在 PN 结的两端形成一个带负电的空间电荷区，称为耗尽层。在耗尽层的作用下，只有一个极小的支流电流通过二极管，这个支流电流被称为反向饱和电流。在反向击穿电压下，耗尽层就会被电场加速撕裂，产生大量的电子和空穴，这种现象称为反向击穿，二极管将会被破坏。
结型二极管的应用范围广泛，主要应用于电源、稳压、测量、放大、开关、调制、解调、改变波形、保护等方面。其经典应用是在整流电路中，通过利用其单向导电特性使交流电转化为直流电。此外，结型二极管在光电子学领域也有广泛应用，在太阳能电池、光接收器、激光器、红外探测等方面都发挥着重要作用。
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