在电工领域,符号p和n通常分别代表正极和负极,这是因为电子流是从负极(n)流向正极(p)的。在半导体器件中,p型和n型材料也是常见的概念。
pn结,也被称作正负结,是半导体器件中十分重要的一种结构。它由n型半导体和p型半导体通过扩散结合形成,通常被用于制作二极管、三极管等器件。在pn结中,n型区域流入p型区域而形成一个耗尽区,使得pn结的特性不同于单一半导体材料的特性。
由于pn结具有较小的正向电压下导通,大的反向电阻以及快速恢复等特性,因此被广泛应用于电源、音频放大器、温度传感器、光电探测器等领域。同时,pn结还是制备其他高级半导体器件的重要基础。
通常,pn结的制备方法有扩散法、离子注入法、合金法等。其中,扩散法是最常用、最为成熟的方法。在扩散法中,将p型基片与n型掺杂源分别进行在高温下加热,掺杂源中的材料被扩散到基片中形成n型/diffused p型的结构。