电路晶体管是电子元器件中的一种,广泛应用于数字电子、模拟电子、射频电子等领域。在电路设计中,为了方便序号、命名以及区分不同类别的晶体管,采用了不同的字母来代表不同种类的晶体管。
在射频(RF)电子领域,常用的晶体管有B类和C类两种。B类晶体管由字母B表示,是指直流偏置电流为零时,没有输出信号通过,因此输出电流存在一个截止值,只有当输入信号的振幅达到一定的阈值时,晶体管才会工作,成为一种开关型器件,广泛应用于调幅、调频等无线电通信系统。而C类晶体管由字母C表示,是指直流偏置点稍微高于B类,仅允许一个小于180度的射频信号通过,因此可以被用作高功率射频信号的放大器, 常用于电台、发射台等领域。
场效应晶体管(FET)是一种常见的晶体管,由字母F表示。和双极性晶体管(BJT)相比,FET的特点是输入电阻大、电压增益小,而输出电阻小,动态范围广。由于其宽阔的输入隔离区,FET适用于高频放大器以及低噪声前置放大器等领域,得到广泛应用。
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是一种增强型场效应晶体管,由字母M表示。和传统FET相比,MOSFET具有更高的输入阻抗、更低的控制能耗和更高的开关速度。它适用于数字集成电路(IC)的制造,以及大功率输出、放大器电路等领域。
晶体管的命名规则是通过缩写来表示。BJT代表双极性晶体管,而T为它的缩写符号,例如2N2222、BC548等;而FET代表场效应晶体管,T表示它的类型,例如J310、2SK170等。MOSFET缩写为MPS,T表示P型、N型、增强型或耗尽型,例如IRF640、IRF9540等。