Salicide,全称是self-aligned silicide,它是半导体器件制造过程中的一种工艺。主要是为了提高晶体管的导电性能、降低电阻和延长使用寿命。
首先,在晶体管表面形成一层金属薄膜,比如钨、钛、铜等。然后,这个金属薄膜被加热到高温,使其与衬底上的硅形成反应产生一种新的化合物,即自对准硅化物(self-aligned silicide)。
最后,将通过光刻和化学腐蚀技术制作的原图案和反应性旋转方法,在硅化物层上定义源/漏、栅极、接地等电路元件,从而实现对半导体器件的精确控制。
与传统的普通金属电极相比,Salicide具有以下优点:
1. 优化了电阻的特性,提高了电路的运行速度与稳定性;
2. 在高功率应用中,增强了电路的承载能力;
3. 降低了热处理温度对晶体管的影响,延长了器件的使用寿命;
4. 提高了器件制造的一致性和良率,进一步降低了制造成本。
目前,Salicide工艺已经被广泛应用于各种高品质的CMOS器件的制造,比如高密度闪存、高速DRAM、微处理器等领域。
尤其是在大规模集成电路芯片的制造中,Salicide工艺可以提供更多的器件设计空间,从而实现更高的集成度和性能,并最终带来更好的用户体验。