二极管是电子学中最常用的器件之一,其具有将电流只能单向通过的特性,可用于整流、电压稳定等电路中。二极管的正向导通是其正常工作状态,下面将从多个方面介绍为什么二极管正向导通。
PN结是二极管的重要部分,是由p型半导体和n型半导体组成的结构。在PN结的区域内,p型半导体中的多数载流子(空穴)向n型半导体中自由电子的浓度梯度区域移动,这意味着此区域电子密度高,空穴密度低。当p型半导体区域的空穴与n型半导体区域的自由电子结合时,就会产生电子-空穴对,也称为载流子。在PN结中,由于负电荷的电子和正电荷的空穴相互吸引并结合,形成势垒。当势垒足够高时,就会阻挡电荷载流子的流动,此时二极管不导电。
但是,在PN结的p端加正向电压,n端加负向电压时,电场会减小势垒,使载流子能够越过势垒。当正向电压足够大时,势垒被完全消除,载流子可以从p端进入n端,此时二极管就呈现正向导通状态。
在正向偏置状态下,外加电压使p型半导体中的空穴向接近PN结的区域移动,这些空穴受到PN结势垒的影响,会进入n型半导体中。在PN结的n端,这些空穴和自由电子相遇,随着空穴较多,就会形成一个电子富集区。随着空穴继续进入n型半导体,电子富集区会扩大。在整个过程中,由于电子-空穴结合和再生的作用,电流得以通过二极管。
二极管的导通也可根据捆绑原理描述。捆绑原理是指半导体表面的自由电子能够被束缚在几个表层原子中,从而形成所谓的空穴。当正向电压加在PN结上时,空穴被束缚到p型材料中,表层缺电子,形成浓度非常高的空穴区域。电子从n型材料流入这个区域,空穴由于位置短缺,就可以通过n型材料流出。在正向偏置时,空穴注入到n型半导体中,自由电子注入到p型半导体中,形成正向电流。
参杂技术是半导体工艺中经常使用的技术之一。将5价元素砷、铋或磷注入4价硅中,在硅晶体中形成杂质。这些杂质中的自由电子和硅中的电子形成共价键,通过电子共价电子对杂质进行掺杂,使其电子外层半满或者近似半满。在PN结处,增加参杂的杂质,如磷元素,将增加n型半导体中的自由电子,降低p型半导体区域的空穴浓度,从而使势垒减小,电流得以流动,二极管处于正向导通状态。