835是一种半导体工艺的代号,属于14纳米FinFET(Fin型场效应晶体管)工艺。它是台积电公司(TSMC)开发的工艺,用于生产高性能、低功耗的芯片。835工艺属于第二代FinFET技术,相比于第一代工艺,具有更高的晶体管密度,更低的功耗和更高的性能。
835工艺具有以下优势:
1. 更高的晶体管密度:835工艺使用的FinFET结构更紧密,使得晶体管密度比第一代工艺提高了30%左右。
2. 更低的功耗:相比于第一代FinFET工艺,835工艺采用了更先进的Low-Power Early Voltage(LPEV)技术,大大降低了静态功耗。同时,835工艺还采用了更少的晶体管数量,使得总功耗更低。
3. 更高的性能:835工艺的FinFET结构使得晶体管更快速响应,更容易被控制。同时,835工艺还采用了更先进的非晶硅材料,提高了晶体管的电子迁移率和开关速度。
4. 更高的集成度:835工艺能够制造出更高集成度的芯片,这对于复杂的计算机系统和处理器来说尤为重要。
但是,835工艺也存在一些劣势。由于晶体管数量减少,导致芯片面积变小,从而限制了芯片的发热处理能力。同时,835工艺还需要更多的制造步骤,因此制造成本较高。
835工艺主要应用于高性能处理器和芯片设计,例如智能手机、平板电脑等移动设备的处理器,以及云计算器和服务器的处理器,都采用了835工艺生产。同时,835工艺也被应用于人工智能芯片和物联网设备的设计中,用于提高处理性能和能效比。
随着高性能计算需求的不断增长,835工艺已经成为了当今互联网时代的重要技术基石。未来,随着芯片製造技术的进一步发展,835工艺还将不断优化升级,继续为各类高性能芯片的设计提供更高的性能与能效比。