mos管全称为“金属氧化物场效应晶体管”,即MOSFET。MOS管具有晶体管MOS型和JFET型两种形式,其中MOS型通过控制栅极电压来调整源漏之间的电阻,具有非常好的放大和开关特性,被广泛应用于电子元器件中。
mos管由P型基片和 N型基片组成,上面覆盖有氧化物层,和金“层,对中间隔一层狭长互电极,称为栅极,MOS管的三个端子输出端叫源极,输入端叫漏极,栅极与漏极之间是反向耦合,漏极与源极之间又是正向接合,所以输入信号通过栅极发射,由源极输出。
mos管的特点是输入电容量很小,可避免由晶体管引起的电容效应,输出电阻低,并且可以制作成高电压和大电流型号,广泛应用于各种电子元件和集成电路中。
mos管的栅极电压可以控制源漏之间的电阻,当栅极电压高于阈值电压时,MOS管将开启,源漏之间的电阻降低,电流得以通过。
而当栅极电压低于阈值电压时,MOS管将处于关闭状态,源漏之间处于高阻态,电流无法通过。
mos管的应用非常广泛,如在电子元器件方面,mos管可用于功率放大器、开关、锁相环等电路中;在数字领域,mos管可以用作CMOS(互补型金属氧化物半导体)电路中的基本单元,实现各种逻辑运算,如与门、或门、非门等等;同时,mos管还广泛应用于太阳能电池板、汽车多媒体系统、手机充电、LED照明、医疗器械等领域。